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          位置:51電子網 » 企業新聞

          BUK436-800B

          發布時間:2019/8/4 22:34:00 訪問次數:44 發布企業:深圳市賽爾通科技有限公司

          HFA16PB120PBF ,HFA16PB120
          制造商: Vishay
          產品種類: 整流器
          RoHS: 詳細信息
          安裝風格: Through Hole
          封裝 / 箱體: TO-247AC
          Vr - 反向電壓 : 1200 V
          If - 正向電流: 16 A
          類型: Fast Recovery Rectifiers
          配置: Single
          Vf - 正向電壓: 3.93 V
          最大浪涌電流: 190 A
          Ir - 反向電流 : 20 uA
          恢復時間: 135 ns
          最小工作溫度: - 55 C
          最大工作溫度: + 150 C
          封裝: Tube
          高度: 20.7 mm
          長度: 15.87 mm
          產品: Rectifiers
          寬度: 5.31 mm
          商標: Vishay Semiconductors
          產品類型: Rectifiers
          工廠包裝數量: 25
          子類別: Diodes & Rectifiers
          商標名: HEXFRED
          零件號別名: HFA16PB120PBF
          單位重量: 5.500 g


          -----------


          IKW15T120
          制造商: Infineon
          產品種類: IGBT 晶體管
          RoHS: 詳細信息
          技術: Si
          封裝 / 箱體: TO-247-3
          安裝風格: Through Hole
          配置: Single
          集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
          集電極—射極飽和電壓: 1.7 V
          柵極/發射極最大電壓: 20 V
          在25 C的連續集電極電流: 30 A
          Pd-功率耗散: 110 W
          最小工作溫度: - 40 C
          最大工作溫度: + 150 C
          系列: TRENCHSTOP IGBT
          封裝: Tube
          高度: 20.9 mm
          長度: 15.9 mm
          寬度: 5.3 mm
          商標: Infineon Technologies
          柵極—射極漏泄電流: 100 nA
          產品類型: IGBT Transistors
          工廠包裝數量: 240
          子類別: IGBTs
          商標名: TRENCHSTOP
          零件號別名: IKW15T120FKSA1 IKW15T12XK SP000013938
          單位重量: 38 g
          ---------
          ST2310HI
          制造商: STMicroelectronics
          產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
          RoHS: 詳細信息
          安裝風格: SMD/SMT
          封裝 / 箱體: SOT-93-3
          晶體管極性: NPN
          集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
          集電極—基極電壓 VCBO: 1.5 kV
          發射極 - 基極電壓 VEBO: 7 V
          最大直流電集電極電流: 12 A
          最大工作溫度: + 150 C
          系列: ST2310
          封裝: Tube
          商標: STMicroelectronics
          集電極連續電流: 12 A
          直流集電極/Base Gain hfe Min: 25
          Pd-功率耗散: 55 W
          產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
          工廠包裝數量: 30


          ----------
          SKN130/12
          Stud Diode
          VRRM 1200 V
          IFAV 130 A
          貨號: 02235310
          凈重: 0.096 千克
          原產國: 巴西
          生產商: SEMIKRON


          SKN130/18
          Stud Diode
          VRRM 1800 V
          IFAV 130 A
          貨號: 02235340
          凈重: 0.096 千克
          原產國: 巴西
          生產商: SEMIKRON




          制造商: ON Semiconductor
          產品種類: IGBT 晶體管
          RoHS: 詳細信息
          技術: Si
          封裝 / 箱體: TO-247-4
          安裝風格: Through Hole
          配置: Single
          集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
          集電極—射極飽和電壓: 1.78 V
          柵極/發射極最大電壓: 20 V
          在25 C的連續集電極電流: 160 A
          Pd-功率耗散: 454 W
          最小工作溫度: - 55 C
          最大工作溫度: + 175 C
          封裝: Tube
          商標: ON Semiconductor
          柵極—射極漏泄電流: 200 nA
          產品類型: IGBT Transistors
          工廠包裝數量: 450
          子類別: IGBTs
          IRFP4332,IRFP4332PBF
          IRFP054N
          VS-75EPU12L-N3
          IRFP450
          HFA16PB120PBF
          IRFP450PBF
          HFA16PB120
          FGH40T120
          BUK436-800B
          STW70N60M2
          IKW15T120
          RJH60F4DPQ
          C4D20120D
          IRGPS40B120UDP
          79N60S1
          63CPQ100PBF
          63CPQ100

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