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          位置:51電子網 » 企業新聞

          IS61WV20488FBLL-10BLI

          發布時間:2019/8/5 10:04:00 訪問次數:41 發布企業:深圳市旺財半導體有限公司

          2Mx8高速異步CMOS靜態RAM, 3.3V/1.8V供電

          隨機存儲器IS61WV20488FBLL-10BLIFEATURES  High-speed 訪問 time: 8 ns, 10 ns, 20 ns  High- performance, 低 功率 CMOS 過程  Multiple 中心 電力 和 地面 銷 更 大 的 噪聲 免疫力  TTL 兼容 的 輸入 和 輸出  Single 電源 – V 1.65 - 2.2 V VDD (IS61WV20488FALL) – V 2.4 - 3.6 V VDD (IS61/64WV20488FBLL)隨機存儲器IS61WV20488FBLL-10BLI

           Packages : - 44 銷 TSOP (Type II) - 48 球 迷你 BGA (6mm x 8 mm) -隨機存儲器IS61WV20488FBLL-10BLI54 銷 TSOP (Type II)

           Industrial Automotive 溫度 支持  Lead-free 可用  Data Control 上下 bytes

          ISSI IS61/64WV20488FALL/BLL是高速、16M位靜態ram,由8位組成2048K個單詞。隨機存儲器IS61WV20488FBLL-10BLI它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這一高度可靠的過程加上創新的電路設計技術,產生高性能和低功耗的設備。當c#高(非選)時,設備采用待機模式,在待機模式下,功耗可以隨著CMOS輸入電平的降低而降低。簡單的內存擴展是通過使用芯片啟用和輸出啟用輸入提供的。active LOW Write Enable (WE#)控制內存的寫入和讀取。這些設備采用JEDEC標準的44針TSOP (II型)、48針mini BGA (6mm x 8mm)和54針TSOP (II型)進行封裝


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