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          位置:51電子網 » 企業新聞

          K4T1G164QE-HCE6存儲芯片優質供應商

          發布時間:2019/8/5 13:51:00 訪問次數:51 發布企業:深圳振華航空半導體有限公司


          由于日本本月初開始管制對韓國出口的氟聚酰亞胺、光刻膠及氟化氫三種材料,連跌了3個季度的內存價格走勢開始撲朔迷離,因為這三種材料中有兩種都會影響到半導體芯片生產,韓國三星、SK海力士等公司都要依賴日本供應。 根據集邦科技旗下的半導體研究中心DRAMeXchange的數據,8Gb DDR4顆粒的現貨價格上周末收盤時為3.74美元,比上上周的價格漲了14%,比7月5日的價格漲了23%——4號是日本正式管制出口的日子,5號內存價格就開始應聲而漲了。 在這樣的情況下,如何確保公司的內存、閃存芯片生產已經成為三星的頭等大事。 日前有傳聞稱三星將在美國加大投資,建設芯片工廠為蘋果提供芯片,這件事還是美國總統訪韓國時雙方投資談判計劃的一部分,不過三星官方已經否認了在美國建廠的傳聞。 三星表示該公司目前不會擴大在美國的工廠,更希望在韓國本土建立高純度氟化氫工廠。 高純度氟化氫是半導體制造生產過程中所需的重要材料,700多道工藝中有50多道工藝都要用到氟化氫來清洗或者蝕刻晶圓、設備,目前韓國公司主要依賴日本公司的供應。 值得一提的是今年三星、西數、東芝、美光等公司都宣布了旗下96層堆棧的3D閃存量產的消息,digitimes報道稱這些廠商正在積極改進96層閃存的良率,有望在2020年成為市場的主流。 消息人士爆料稱,96層堆棧的3D閃存今年將占到產能的30%,不過隨著廠商加快技術轉型并提高良率,明年96層閃存的產能將超過64層閃存。 今年由于閃存不斷跌價,閃存廠商已經開始削減產能以減少市場供應,其中美光將產能削減從5%擴大到10%,SK海力士也預估今年的產能比2018年減少10%以上。 三星電子最近也調整了生產計劃以應對日本對韓國發起的半導體材料管制措施。 消息人士認為,主要的NAND廠商的減產計劃主要是降低64層閃存及成熟產品的生產。 除了96層堆棧的閃存之外,多家NAND廠商還交付了120/128層堆棧的NAND閃存樣品,預計128層堆棧的閃存競爭將在2019年下半年到2020年展開。


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