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          位置:51電子網 » 企業新聞

          K4T51163QG-HCF7存儲芯片優質供應商

          發布時間:2019/8/5 16:00:00 訪問次數:49 發布企業:深圳振華航空半導體有限公司



          2019年8月5日驅動中國昨夜今晨

          "天機芯"在無人駕駛自行車上實驗 引美國科技界關注

          據彭湃新聞報道,近日,中國科學家研制成功面向人工通用智能的新型類腦計算芯片——“天機芯”,并成功在無人駕駛自行車上進行了實驗,引起美國科技界高度關注。8月1日,國際權威期刊《自然》雜志以封面文章形式發表了清華大學類腦計算研究中心施路平教授團隊的相關論文。

          “天機芯”是一款新型人工智能芯片,把人工通用智能的兩個主要研究方向,即基于計算機科學和基于神經科學這兩種方法,集成到一個平臺,可以同時支持機器學習算法和現有類腦計算算法。

          研究人員在一輛無人駕駛自行車上驗證了這一芯片的能力。搭載“天機芯”的自行車,實現了實時視覺目標探測、目標追蹤、自動過障和避障、自適應姿態控制、語音理解控制、自主決策等功能。

          美國《麻省理工學院技術評論》就此發表文章說,“天機芯”芯片成功在無人駕駛自行車上進行實驗,顯示了中國在芯片領域日益增長的專業能力,以及旨在優化人工智能算法的全新芯片設計方法的價值。文章說,中國科研人員展示了研制專業人工智能芯片的能力,體現了中國在提升自身芯片設計能力方面的重大進展。

          美國《紐約時報》刊文表示,配備了人工智能芯片后,這可能是“最接近自主思考的無人駕駛自行車”。文章說,這一項目使用新型芯片實現更高水平的人工智能,希望這樣的芯片能在未來幫助實現當前無法做到的機器自動化水平。

          美國知名研究機構斯克里普斯研究所的專家埃里克·托波爾表示,“天機芯”的研發及其在無人駕駛自行車上的實驗,成功展示了這種結合機器學習和類腦算法的混合設計,標志著人工智能發展進程中的重要時刻。

          馬斯克來華挖隧道?計劃啟動Boring Company中國項目

          據網易科技報道,特斯拉公司CEO埃隆·馬斯克(Elon Musk)今天在其twitter上宣布,將借參加2019年世界人工智能大會的機會啟動Boring Company(無聊公司)中國項目。據了解,The boring company是馬斯克旗下SpaceX公司為了解決地面交通擁堵問題而成立的,在地下挖掘隧道來解決地面交通擁堵問題。

          據此前報道,The Boring Company近日獲投1.2億美元戰略投資融資,該輪融資由8VC、DFJ德豐杰(全球)、Valor Capital Group投資。

          在今年5月,美國拉斯維加斯監管機構投票,批準了馬斯克(Elon Musk)旗下挖掘公司Boring(“無聊公司”,The Boring Company)價值4860萬美元的合同,Boring將在拉斯維加斯建商用隧道。

          據媒體此前報道,馬斯克于2017年年初成立了“無聊公司”(The Boring Company),因為他快被堵車逼瘋了,打算造一臺挖掘機開始挖隧道。英文boring有“挖掘”和“無聊”兩種意思,因此馬斯克也借“Boring Company”自嘲要開一家“無聊的公司”。

          馬斯克很看好地下隧道,此前曾表示,“隧道很好,隧道其實就是在地底下挖個洞,沒那么復雜。如果能在城市地下不同深度建造隧道,就可以大大緩解交通壓力;對于高密度城市來說,可能建30層地下隧道就能完全解決交通擁堵問題。所以我強烈建議建造隧道。”

          三星宣布將于8月7日推出下一代芯片Exynos 9825

          據快科技報道,三星Exynos官方推特宣布將于8月7日推出下一代芯片,考慮到三星GalaxyNote 10系列將于8月7日發布(北京時間是8月8日凌晨4點),由此確認Exynos 9825即將登場。

          GSMArena報道指出,在Galaxy S10系列中,Exynos 9820版本和驍龍855版本差距較為明顯,其中Exynos 9820使用8nm工藝制程,驍龍855使用7nm工藝制程。

          Exynos 9825的出現有望彌補這一差距,它基于7年工藝制程打造,功耗控制相信會有所改善。根據GeekBench曝光的跑分信息,Exynos 9825單核成績為4495,多核成績為10223,屬于安卓陣營的頂級水平。

          另外,知名爆料人士@evleaks透露三星Galaxy Note 10系列僅在美國提供驍龍855版本(Verizon),其它市場供應Exynos 9825版本。

          值得注意的是,三星Galaxy Note 10已經通過3C認證,頁面顯示該機支持5G網絡,這將是三星首款國行5G手機,值得期待。

          三星稱不會人為限制內存產能 計劃再建7nm EUV工廠

          據快科技報道,盡管日本方面上周末推出了第二波禁韓令,預計多達857種重要材料對韓國出口都會受到管制影響,此舉可能會影響韓國公司的半導體生產,不過三星似乎并沒有因此停止在半導體領域擴展。在閃存、內存等存儲芯片領域,三星上周發布的Q2季度財報中,運營利潤同比暴跌了53%,這主要是因為內存跌價所致,這一趨勢目前還沒有改變,三星表示今年下半年內存芯片的庫存就會下滑,但是外部環境還有很多不確定性,很難預測庫存下降速度會有多快。

          7月份內存合約價再度下滑10%,但是現貨價大漲了24%,但是三星表示現貨價格上漲是否能影響到長期合約價依然很難說。

          由于內存、閃存價格連跌了數個季度了,導致上游存儲芯片廠商營收盈利大幅下滑,美光、SK海力士等公司之前已經采取減產等措施影響市場供求情況,不過三星在這方面表態謹慎,該公司高層表示不會人為減產,但是三星的芯片生產會彈性運作,以便及時應對市場供需變化。

          在邏輯芯片方面,三星表示2020年上半年韓國華城的7nm EUV生產線將如期量產,該公司還計劃再建設另外的7nm EUV工廠以擴張7nm產能,在這個領域臺積電公司已經量產7nm工藝一年多時間了。

          H5PS1G63EFR-S5C H5PS1G63EFR-S6C H5PS1G63EFR-Y5C H5PS1G63JFR-S5C H5PS1G63JFR-S6C H5PS1G63JFR-Y5C H5PS1G63KFR-S5C H5PS1G63KFR-S6C H5PS1G63KFR-Y5C H5PS1G83EFR-S5C H5PS1G83EFR-S6C H5PS1G83EFR-Y5C H5PS1G83JFR-S6C H5PS1G83KFR-S5C H5PS1G83KFR-S6C H5PS1G83KFR-Y5C H5PS5162FFR-25C H5PS5162FFR-S5C H5PS5162FFR-S6C H5PS5162FFR-Y5C H5PS5162GFR-G7C H5PS5162GFR-S5C H5PS5162GFR-S6C H5PS5162GFR-Y5C H5PS5162KFR-S6C H5PS5162KFR-Y5C H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBC H5TQ1G63DFR-H9C H5TQ1G63EFR-PBC H5TQ2G63BFR-H9C H5TQ2G63DFR-PBC H5TQ2G63FFR-PBC H5TQ2G83FFR-PBC H5TQ4G63AFR-PBC HY5PS121621CFP-Y5 HY5PS1G1631CFP-Y5 HY5PS1G831CFP-S6 HY5PS561621AFP-25 HY5PS561621BFP-Y5 K4B1G0846G-BCH9 K4B1G0846G-BCK0 K4B1G1646E-HCH9 K4B1G1646G-BCH9 K4B1G1646G-BCK0 K4B1G1646G-BCKO K4B2G0846D-HCH9 K4B2G0846Q-BCK0 K4B2G0846Q-BCKO K4B2G1646C-HCH9 K4B2G1646F-BYK0 K4B2G1646Q-BCK0 K4B2G1646Q-BCKO K4B4G1646E-BCMA K4M513233C-DN75 K4T1G084QF-BCE6 K4T1G084QF-BCE7 K4T1G084QF-BCF7 K4T1G084QF-BCF8 K4T1G084QG-BCE7 K4T1G084QG-BCF7 K4T1G084QQ-HCE6 K4T1G164QE-HCE6 K4T1G164QE-HCE7 K4T1G164QE-HCF7 K4T1G164QE-HIE6 K4T1G164QF-BCE6 K4T1G164QF-BCE7 K4T1G164QF-BCF7 K4T1G164QF-BCF8 K4T1G164QF-BIE6 K4T1G164QG-BCE6 K4T1G164QG-BCE7 K4T1G164QG-BCF7 K4T1G164QQ-HCE6 K4T1G164QQ-HCF7 K4T51163QE-ZCE6 K4T51163QG-HCE6 K4T51163QG-HCE7 K4T51163QG-HCF7 K4T51163QI-HCE7 K4T51163QI-HCF7 K4T51163QJ-BCE6 K4T51163QJ-BCE7 K4T51163QJ-BCF7 K4T51163QJ-BCF8 K4T51163QJ-BIE6 K4T51163QQ-BCE6 K4T51163QQ-BCE7 K4T51163QQ-BCF7 K4W1G1646E-HC12 K4X1G163PE-FGC6 K4X1G163PE-FGC8 K4X1G323PE-8GC6 K4X1G323PF-8GD8 K4X2G323PD-8GD8 K4X51163PG-FGC6 K4X51163PI-FGC6 K8D3216UBC-DI07 MCIMX515DJM8C MT41J128M16HA-125:D MT41J128M16HA-125IT:D MT41J128M16HA-15E:D MT41J128M16HA-15EI MT41J128M16HA-15EIT:D MT41J128M16JT-125:K MT41J128M8JP-15E IT:G MT41J64M16JT-125:G MT41J64M16JT-15E IT:G MT41J64M16JT-15E:G MT41J64M16JT-15EIT:G MT41K128M16JT-125 IT:K MT41K128M16JT-125:K MT41K256M16HA-107:E MT41K256M16HA-125: MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125IT:E MT41K256M8DA-125:K MT41K256M8DA-125IT:K MT46H64M16LFBF-6IT:B MT47H128M16HG-3IT:A MT47H128M16RT-25E IT:C MT47H128M16RT-25E: MT47H32M16HW-25EIT:G MT47H64M16HR-25:H MT47H64M16HR-3:E MT47H64M16HR-3IT MT47H64M16HR-3IT:H MT48LC16M16A2BG-75IT:D NT5CB128M16BP-CG NT5CB128M16FP-DI NT5CB256M16CP-DI NT5CB64M16FP-DH NT5TU32M16CG-25 NT5TU32M16CG-25C NT5TU32M16DG-BE NT5TU64M16GG-AC S3C2410A20-YO80 S3C2410AL-20 S3C2416X40-Y640 S3C2416XH-40 S3C6410X66-YB40 S3C6410XH-66 SMP8671A-CBE3 W971GG6JB-18 W971GG6JB-25 W971GG6JB-25I W971GG6KB-25 W971GG6KB-25I W971GG6SB-25
          公司:深圳振華航空半導體有限公司
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