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          位置:51電子網 » 技術資料 » 消費類電子
          調制域分析儀在通信中的應用遍及模擬通信2019/8/9 20:47:36
          (1)通信K4B2G0846C-HCK0調制域分析儀在通信中的應用遍及模擬通信、移動通信、數據通信等幾乎一切通信領域。・調頻、調相、移頻鍵控、移相鍵控、...[全文]
          調制域的特征是反映信號頻率、相位與時間的關系2019/8/8 19:59:33
          內容摘要調制域的特征是反映信號頻率、相位與時間的關系,它同時域、頻域形成了信號的三維空間。H5MS1G62MFP-J3M本章介紹調制方式的劃分、信號的三維空間及調制信...[全文]
          功率表由生產廠家在嚴格控制的條件下校準2019/7/31 22:22:00
          誤差吩析誤差來源包括儀器誤差、信號源與負載的失配及信號波形對某些功率表的影響誤差。HGTP7N60B3D功率表由生產廠家在嚴格控制的條件下校準,并以相對于滿刻度偏轉的...[全文]
          電壓測量的基本要求2019/7/30 21:00:05
          電壓測量的基本要求由于在電子電路測量中所遇到的待測電壓具有頻率范圍寬、電壓范圍廣、等效電阻較高及波形多種多樣等特點,故對電壓測量提出如下一些要求:IPP60R165CP...[全文]
          DIN:串行數據輸人端2019/7/29 20:45:36
          功能說明如下。(1)DIN:串行數據輸人端。在CLK的上升沿,數據被裝人到內部的16位移動寄存器中。LM3S1439-IQC50-A2T(2)DIG7~D⒑0:8位數...[全文]
           太赫茲波是一種電磁波2019/7/25 21:16:14
          太赫茲波是一種電磁波,它的波長介于紅外線與微波之間。近年來,太赫茲波越來越受到關注,H5TQ2G83BFR-H9I已被國際科技界公認為是高科技領域的必爭之地,其研究和應用對于未來軍事作戰與國家安...[全文]
          某量在所處的條件下被完美地確定或嚴格定義的量值2019/7/25 20:39:05
          量的真值:某量在所處的條件下被完美地確定或嚴格定義的量值。或者可以理解為沒有誤差的量值。量的真值是一個理想的概念,實際上不可能確切得知,只能隨著科學技術的發展及認識的提高去逐漸接近它。然而,也可...[全文]
          諧波的標準2019/7/24 21:30:06
          諧波的標準GM6250-3.0ST89R由于公用電網中的諧波電壓和諧波電流對電網和用電設備都會造成很大的危害,世界許多國家都發布了限制電網諧波的國家標準,或由權威機構制定限制諧波的...[全文]
          專用模擬集成控制芯片的出現大大簡化了控制電路2019/7/14 18:37:36
          變換器的控制也從最初的由分立元件組成的控制電路發展到集成控制器,再到如今的旨在實現高性能和復雜控制的計算機控制系統。模擬控制電路存在控制精度低、LD1117S33TR參數整定不方便,以及元件溫漂...[全文]
          屏蔽系統設備的輻射發射問題2019/7/13 16:33:07
          某產品提供⒛個10/1OOMb/s的以太網口,同時設有兩個擴展槽,在實際組網中根據需要配置不同的扣板。AAT7205-S11-T在進行輻射發射測試時,擴展槽位配置為長距離千兆位光接口(LC接口)...[全文]
          衰減最快的電流稱為電容電流2019/7/10 21:56:09
          外殼的電性能參數包括絕緣電阻、介質耐壓、引線電阻、引線電容。H5PS5162FFR-G7C下面詳細介紹絕緣電阻、介質耐壓、引線電容的測試經驗。除陶瓷外殼外,大多數外殼的絕緣體是由復...[全文]
          ​量子阱紅外焦平面探測器2019/7/1 20:42:50
          量子阱紅外焦平面探測器1.概述量子阱紅外探測器(QuantumWellIn仔arcdPhotodctectors,QWIP)是利用多量子阱中基態到激發態的子帶躍遷導致...[全文]
          數學運算指令2019/6/6 22:09:14
          數學運算指令加法運算指令H5PS5162GFR-S5C加法指令是對有符號數進行相加操作,包括有整數加法、雙字整數加法和實數加法。加法指令影響的特殊存儲器位:SM1,0...[全文]
          用于顯示模擬器充電電壓的儀器應2019/5/24 19:56:51
          l)充電電壓GAL22V10D-25LPNI用于顯示模擬器充電電壓的儀器應在表⒋21規定的范圍內,對圖4-154中C和D端的實際電壓指示進行校準。表⒋21模擬器充電電...[全文]
          采用上述設備對芯片施加剪切力2019/5/22 22:31:43
          采用上述設備對芯片施加剪切力,該力應QL65F7SA足以把芯片從固定位置上剪切下來或等于規定的最小剪切強度的兩倍(取其第一個出現的值)。圖4-117所示為芯片最小鍵合強度與芯片面積的關系。...[全文]
          面交叉薄膜TEG通常采用由多晶硅和多晶鍺硅薄膜組成2019/5/3 18:10:35
          面交叉薄膜TEG:面交叉薄膜TEG通常采用由多晶硅和多晶鍺硅薄膜組成,可由MEMS技術批量制造,因而具有相對較低的制造成本。OPA1632DGNR因為采用了薄膜技術,面交叉薄膜TEG消耗較少的熱...[全文]
          典型導電聚合物分子結構2019/4/9 22:07:41
          LM317DR2構成導電聚合物中的單體通常是含有五個或者六個碳原子的環狀共軛體系,包括吡咯、噻吩、苯乙烯、苯胺、芴、咔唑等,以及其衍生物,它們的化學結構如圖2.⒆所示...[全文]
          充滿電子的金屬d軌道可以與配體形成較強的共軛2019/4/8 20:54:07
          K4R271669F-TCS8MLCT輻射躍遷概率取決于重金屬的軌道-自旋耦合效應,而且隨著金屬原子序號的增大而增加。而且,當配體軌道與金屬d軌道匹配性較好時,充滿電...[全文]
          對有機材料激發態的光輻射衰減過程2019/4/8 20:17:01
          JAN2N3700表示單線態的第一激發態分子與基態分子碰撞而產生基激二聚物excimer;過程⑿。10θ表示基激二聚物的輻射衰減。由于基激二聚物的基態分...[全文]
          電子系統常見的干擾有電源干擾、電磁場干擾和通道干擾等2019/4/5 17:09:04
          ICE3A1065在分析干擾時,要弄清形成干擾的三要素,即干擾源、被干擾的接收電路及耦合通道。電子系統常見的干擾有電源干擾、電磁場干擾和通道干擾等。電磁兼容的解決措施...[全文]
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